Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование
Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхстру...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 4. С. 85-92 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 04181nab a2200397 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001003959 | ||
| 005 | 20240724122125.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 230623|2023 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/00213411/66/4/10 |2 doi | |
| 035 | |a koha001003959 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование |c Ю. Ю. Эрвье, М. Ю. Есин, А. С. Дерябин [и др.] |
| 246 | 1 | 1 | |a Pairing of monoatomic steps on the Si(100) surface: experiment and modeling |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 25 назв. | ||
| 506 | |a Ограниченный доступ | ||
| 520 | 3 | |a Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструктурного домена 1×2 (I1×2) демонстрируют уменьшение интенсивности со временем, с выходом на стационарное значение I S1×2. При относительно высоких температурах IS 1×2 увеличивается с повышением T и с уменьшением R. Такое поведение стационарной интенсивности подобно поведению минимальной ширины А-террасы, достигаемой при сближении А- и В-ступеней, и может быть связано с увеличением роли упругого отталкивания ступеней, обусловленного анизотропией тензора упругих напряжений на реконструированной поверхности Si(100). В предположении прямо пропорциональной зависимости между интенсивностью I1×2 и шириной А-террасы проведено сопоставление теоретических зависимостей минимальной ширины А-террасы от температуры и скорости роста с экспериментальными данными. Показано количественное соответствие теории и эксперимента при относительно небольших значениях энергии образования адатома кремния на террасе | |
| 653 | |a дифракция быстрых электронов | ||
| 653 | |a молекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 653 | |a вицинальные поверхности | ||
| 653 | |a экспериментальные исследования | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 889682 | |
| 700 | 1 | |a Эрвье, Юрий Юрьевич |9 82636 | |
| 700 | 1 | |a Есин, Михаил Юрьевич |9 502075 | |
| 700 | 1 | |a Дерябин, Александр Сергеевич |9 379113 | |
| 700 | 1 | |a Колесников, Алексей Викторович |9 256035 | |
| 700 | 1 | |a Никифоров, Александр Иванович |9 395171 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2023 |g Т. 66, № 4. С. 85-92 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1003959 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |b 100 | ||
| 999 | |c 1003959 |d 1003959 | ||