Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструкт...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 4. С. 85-92
Other Authors: Эрвье, Юрий Юрьевич, Есин, Михаил Юрьевич, Дерябин, Александр Сергеевич, Колесников, Алексей Викторович, Никифоров, Александр Иванович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959
LEADER 03937nab a2200373 c 4500
001 koha001003959
005 20240724122125.0
007 cr |
008 230623|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/4/10  |2 doi 
035 |a koha001003959 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование  |c Ю. Ю. Эрвье, М. Ю. Есин, А. С. Дерябин [и др.] 
246 1 1 |a Pairing of monoatomic steps on the Si(100) surface: experiment and modeling 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 25 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструктурного домена 1×2 (I1×2) демонстрируют уменьшение интенсивности со временем, с выходом на стационарное значение I S1×2. При относительно высоких температурах IS 1×2 увеличивается с повышением T и с уменьшением R. Такое поведение стационарной интенсивности подобно поведению минимальной ширины А-террасы, достигаемой при сближении А- и В-ступеней, и может быть связано с увеличением роли упругого отталкивания ступеней, обусловленного анизотропией тензора упругих напряжений на реконструированной поверхности Si(100). В предположении прямо пропорциональной зависимости между интенсивностью I1×2 и шириной А-террасы проведено сопоставление теоретических зависимостей минимальной ширины А-террасы от температуры и скорости роста с экспериментальными данными. Показано количественное соответствие теории и эксперимента при относительно небольших значениях энергии образования адатома кремния на террасе 
653 |a дифракция быстрых электронов 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a вицинальные поверхности 
653 |a экспериментальные исследования 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Эрвье, Юрий Юрьевич 
700 1 |a Есин, Михаил Юрьевич 
700 1 |a Дерябин, Александр Сергеевич 
700 1 |a Колесников, Алексей Викторович 
700 1 |a Никифоров, Александр Иванович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 4. С. 85-92  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959 
908 |a статья 
999 |c 1003959  |d 1003959