Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструкт...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 4. С. 85-92
Другие авторы:	Эрвье, Юрий Юрьевич, Есин, Михаил Юрьевич, Дерябин, Александр Сергеевич, Колесников, Алексей Викторович, Никифоров, Александр Иванович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	дифракция быстрых электронов молекулярно-лучевая эпитаксия вицинальные поверхности экспериментальные исследования статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959

Похожие документы

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
по: Dyukov, I. Y.

Образование двойных ступеней на поверхности кремния (100): роль проницаемости А-ступеней
по: Эрвье, Юрий Юрьевич

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Компьютерное моделирование эшелонирования вицинальных ступеней при кристаллизации из молекулярного пучка
по: Алексеев, Александр Олегович

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
по: Турапин, Алексей Михайлович

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
по: Новиков, Вадим Александрович

Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy

Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости десорбционного члена от толщины
по: Винарский, Владимир Петрович

Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Динамика ступеней при росте кристалла из газовой фазы и молекулярного пучка учебно-методическое пособие : для студентов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлениям подготовки 03.03.02 Физика, 03.04.02 Физика и 03.03.01 Прикладные математика и физика
по: Филимонов, Сергей Николаевич
Публикация: (2019)

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Введение в физику поверхности
Публикация: (2006)

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович