|
|
|
|
| LEADER |
02607nab a2200361 c 4500 |
| 001 |
koha001004106 |
| 005 |
20230809155445.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
230629|2023 ru s c rus d |
| 024 |
7 |
|
|a 10.17223/00213411/66/5/7
|2 doi
|
| 035 |
|
|
|a koha001004106
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Есбергенов, Дарьябай Муратбаевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Взаимодействие примесей Zn и Ni с технологическими примесями в кремнии
|c Д. М. Есбергенов
|
| 246 |
1 |
1 |
|a Interaction of Zn and Ni impurities with technological impurities in silicon
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 20 назв.
|
| 506 |
|
|
|a Ограниченный доступ
|
| 520 |
3 |
|
|a Приведены результаты исследований взаимодействия атомов примесей цинка и никеля в кремнии, легированных последовательно, в различных комбинациях c помощью метода рентгеновской дифракции и ИК-фурье-спектрометрии. Степень кристалличности решетки кремния, легированного примесями Zn, Ni, зависит от технологии введения данных примесей. Было обнаружено, что после введения атомов Zn в Si, предварительно легированный Ni (Si<Ni, Zn>), вместе с уменьшением концентрации атомов оптически-активного кислорода улучшается прозрачность кристалла, в то время как в образцах при обратной комбинации легирования (Si<Zn, Ni>) наблюдается обратный эффект.
|
| 653 |
|
|
|a кремний
|
| 653 |
|
|
|a цинк
|
| 653 |
|
|
|a никель
|
| 653 |
|
|
|a диффузия
|
| 653 |
|
|
|a рентгеновские спектры
|
| 653 |
|
|
|a рентгеновская дифракция
|
| 653 |
|
|
|a ИК-спектроскопия
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2023
|g Т. 66, № 5. С. 53-59
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004106
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1004106
|d 1004106
|
