Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовыми точками. Образцы были подвергнуты двум методам отжига: продолжительному – в течение 10 мин в кварц...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 5. С. 60-66
Other Authors:	Коляда, Дмитрий Владимирович, Фирсов, Дмитрий Дмитриевич, Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Машанов, Владимир Иванович, Скворцов, Илья Владимирович, Есин, Михаил Юрьевич, Петрушков, Михаил Олегович, Комков, Олег Сергеевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	молекулярно-лучевая эпитаксия раствор твердый наногетероструктуры множественные квантовые ямы отжиг фотолюминесценция статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001004114