Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 44-45
Главный автор: Воронков, А. А.
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:Перейти в каталог НБ ТГУ