Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)

Bibliographic Details
Published in:Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 44-45
Main Author: Воронков, А. А.
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
LEADER 00995naa a2200217 4500
001 koha001004608
005 20230801144002.0
008 230801s2000 ru a f 000 0 rus d
035 |a koha001004608 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Воронков, А. А. 
245 1 0 |a Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)  |c А. А. Воронков 
504 |a Библиогр.: 5 назв. 
653 |a гетероструктуры 
653 |a резонансное тунелирование 
653 |a вольт-амперные характеристики 
773 0 |t Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых)  |d Томск, 2000  |g С. 44-45  |w 0110-61860 
852 4 |a Ru-ToGU  |n ru 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 1004608  |d 1004608