Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)
Published in: | Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 44-45 |
---|---|
Main Author: | Воронков, А. А. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур
by: Воронков, А. А - Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
- Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
- Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
-
Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля
by: Вячистый, Дмитрий Федорович