Фотоэлектрические свойства неоднородных Si-МДП-структур

Фотоэлектрические свойства неоднородных Si-МДП-структур

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых) С. 52-53
Главный автор:	Несмелов, Сергей Николаевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	МОП-структуры кремниевые МДП-структуры фотоэдс фотоэлектрические свойства труды ученых ТГУ

Похожие документы

Фотоэлектрические свойства неоднородных МДП-структур
по: Соколов, В. Н.

Фотоэлектрические свойства неоднородных SiSiO2-структур
по: Соколов, В. Н.

Фотоэлектрические свойства неоднородных МДП-структур
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ
по: Зотов, Е. А.

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические МДП-приборы/
по: Зуев, В. А. Владимир Алексеевич, et al.
Публикация: (1983)

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические МДП-приборы
по: Зуев, Владимир Алексеевич
Публикация: (1983)

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных p-i-n структур на основе компенсированного арсенида галия
по: Шмаков, Олег Геннадьевич

Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe

Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ
по: Зотов, Е. А.

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников: научное издание/
по: Войцеховский, А. В. Александр Васильевич, et al.
Публикация: (1990)

Автоматизированный комплекс для исследования электрических характеристик МДП-структур
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Физика МДП-структур Учебное пособие
по: Сыноров, Владимир Федорович
Публикация: (1989)

Зависимость электрических характеристик тонкопленочных кремниевых структур, чувствительных к водороду, от режимов термического отжига

Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

Всесоюзная конференция по физике соединений А3 В5, г. Новосибирск, 7-9 июля 1981 тезисы докладов
Публикация: (1981)

Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника [сборник работ]
Публикация: (1972)

Многоэлементные фотоприемные устройства и приборы на основе МДП-структур на InAs
по: Курышев, Георгий Леонидович

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Физика полупроводниковых газовых сенсоров
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (2012)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Дзядух, С. М. Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Учебное пособие по дисциплине "Современные проблемы технологии наноэлектроники" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Королев, Михаил Александрович
Публикация: (2011)

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть II. Структура и оптические свойства допированных и сложных нанокристаллов кремния