Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста
Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80-160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 6. С. 111-119 |
|---|---|
| Other Authors: | Горшков, Дмитрий Витальевич, Закиров, Евгений Рашитович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Сабинина, Ирина Викторовна, Гутаковский, Антон Константинович, Вдовин, Владимир Ильич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005299 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
by: Олейник, Владимир Леонидович - Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
-
Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
by: Бессонов, Дмитрий Владимирович - Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
