Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста

Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста

Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80-160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 6. С. 111-119
Другие авторы:	Горшков, Дмитрий Витальевич, Закиров, Евгений Рашитович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Сабинина, Ирина Викторовна, Гутаковский, Антон Константинович, Вдовин, Владимир Ильич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия вольт-фарадные характеристики тонкие пленки статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001005299 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
по: Олейник, Владимир Леонидович

Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме

Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия

Исследование электрических характеристик GaAs-Ga2O3-структур

Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
по: Брудный, Павел Александрович

Исследование электрических характеристик структур TiO2-Si

Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Exploration of the electronic structure of monoclinic α-Eu2(MoO4)3: DFT-based study and X-ray photoelectron spectroscopy

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures

Анализ поверхности серебра, содержащего кислород, методом ЭСХА
по: Тимофеева, Людмила Петровна

Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment
по: Gurtovoi, V. L.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
по: Войцеховский, Александр Васильевич

A study of Pt/al2O3 nanocomposites obtained by pulsed laser ablation to be used as catalysts of oxidation reactions

Учет зависимости электронного сродства от состава при расчете зонных диаграмм варизонных структур CdHgTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe после ионной имплантации бора

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Центры окраски в полых частицах оксида алюминия индуцированные воздействием протонов

Energy shift of collective electron excitations in highly corrugated graphitic nanostructures: Experimental and theoretical investigation

Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Взаимодействие модифицированных углеродных нанотрубок с электромагнитным излучением

Исследование нанесенных биметаллических Pd-Sn наночастиц методом РФЭС
по: Бондарчук, Иван Сергеевич

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Influence of titania synthesized by pulsed laser ablation on the state of platinum during ammonia oxidation

Закономерности изменения валентного состояния при формировании частиц нанесенных Pd-Bi катализаторов
по: Щербакова-Санду, Мария Петровна

Platinum state in highly active Pt/CeO2 catalysts from the X-ray photoelectron spectroscopy data

Surface characteristics of adsorbents based on aluminum oxide by means of X-ray photoelectron spectroscopy and pH-measurement
по: Meshcheryakov, Eugene P.

Исследование нанесенных биметаллических Pd-Sn наночастиц методом РФЭС
по: Бондарчук, Иван Сергеевич

Методы исследования материалов и структур электроники: учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", направления 210100.62 "Электроника и микроэлектроника", направления 222900.62 "Нанотехнологии и микросистемная техника", 210100.62 "Электроника и наноэлектроника", 210600.62 "Нанотехнология"/
по: Смирнов, С. В. Серафим Всеволодович, et al.
Публикация: (2012)