Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами
| Published in: | Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 16-17 |
|---|---|
| Main Author: | Верхолетов, Максим Георгиевич |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008307 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
by: Верхолетов, Максим Георгиевич -
Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения учебное пособие
by: Болоздыня, Александр Иванович
Published: (2012) -
Актуальные вопросы физики полупроводниковых детекторов [сборник]
Published: (1981) -
Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения
Published: (1981) -
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
by: Щербаков, Иван Дмитриевич
