Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами
| Опубликовано в: : | Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия С. 16-17 |
|---|---|
| Главный автор: | Верхолетов, Максим Георгиевич |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008307 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
по: Верхолетов, Максим Георгиевич -
Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения учебное пособие
по: Болоздыня, Александр Иванович
Публикация: (2012) -
Актуальные вопросы физики полупроводниковых детекторов [сборник]
Публикация: (1981) -
Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения
Публикация: (1981) -
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
