Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

The use of low-temperature (LT) GaAs layers as dislocation filters in GaAs/Si heterostructures (HSs) was investigated in this study. The effects of intermediate LT-GaAs layers and of the post-growth and cyclic in situ annealing on the structural properties of GaAs/LT-GaAs/GaAs/Si(001) HSs were studi...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Nanomaterials Vol. 12, № 24. P. 4449 (1-19)
Другие авторы: Petrushkov, Mikhail O., Abramkin, Demid S., Emelyanov, Eugeny A., Putyato, Mikhail A., Komkov, Oleg S., Firsov, Dmitrii D., Vasev, Andrey V., Yesin, Michail Yu, Bakarov, Askhat K., Loshkarev, Ivan D., Gutakovskii, Anton K., Atuchin, Victor V., Preobrazhenskii, Valery V.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
молекулярно-лучевая эпитаксия
самоорганизующиеся квантовые точки
низкотемпературный арсенид галлия
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008910
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008910
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы