Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

The use of low-temperature (LT) GaAs layers as dislocation filters in GaAs/Si heterostructures (HSs) was investigated in this study. The effects of intermediate LT-GaAs layers and of the post-growth and cyclic in situ annealing on the structural properties of GaAs/LT-GaAs/GaAs/Si(001) HSs were studi...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Nanomaterials Vol. 12, № 24. P. 4449 (1-19)
Другие авторы:	Petrushkov, Mikhail O., Abramkin, Demid S., Emelyanov, Eugeny A., Putyato, Mikhail A., Komkov, Oleg S., Firsov, Dmitrii D., Vasev, Andrey V., Yesin, Michail Yu, Bakarov, Askhat K., Loshkarev, Ivan D., Gutakovskii, Anton K., Atuchin, Victor V., Preobrazhenskii, Valery V.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия самоорганизующиеся квантовые точки низкотемпературный арсенид галлия статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008910 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs
по: Чалдышев, Владимир Викторович

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
по: Путято, Михаил Альбертович

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B

Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs

Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Molecular dynamics simulation of Ga and As emission from GaAs surface
по: Sulaymanov, N. T.

Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

Background donor concentration in HgCdTe

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попова, А. В

Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method

Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices
по: Nishizawa, Jun-ichi

Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем

Самоформирующиеся трехмерные наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок
по: Принц, Виктор Яковлевич

Enginering As nano-clusters in GaAs
по: Chaldyshev, Vladimir V.

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs
по: Володин, Владимир Алексеевич

Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs

GaAs маска для нанолитографии
по: Принц, Виктор Яковлевич

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Основные антиструктурные дефекты в GaAs
по: Кухто, О. Л

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития
по: Пчеляков, Олег Петрович