Влияние состава и структуры интерфейсных слоев на адгезионные свойства границы раздела TiAl/Al2O3

Методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности проведено систематическое изучение химической связи на границе раздела γ-TiAl/α-Al2O3(0001) c промежуточными металлическими, оксидными и нитридными слоями. Рассчитаны значения энергии адгезии на интерфейсах в...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 9. С. 37-46
Main Author: Бакулин, Александр Викторович
Other Authors: Каспарян, Сергей Олегович, Кулькова, Светлана Евгеньевна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009283
LEADER 03214nab a2200361 c 4500
001 koha001009283
005 20241105152254.0
007 cr |
008 231108|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/9/4  |2 doi 
035 |a koha001009283 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Бакулин, Александр Викторович 
245 1 0 |a Влияние состава и структуры интерфейсных слоев на адгезионные свойства границы раздела TiAl/Al2O3  |c А. В. Бакулин, С. О. Каспарян, С. Е. Кулькова 
246 1 1 |a Influence of composition and structure of interfacial layers on the adhesion properties of the TiAl/Al2O3 interface 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 36 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности проведено систематическое изучение химической связи на границе раздела γ-TiAl/α-Al2O3(0001) c промежуточными металлическими, оксидными и нитридными слоями. Рассчитаны значения энергии адгезии на интерфейсах в зависимости от плоскости разрыва. Показано, что в случае металлических слоев адгезия существенно понижается на границе раздела TiAl/Me, однако остается высокой на интерфейсе Me/α-Al2O3(0001)O, что обусловлено ионным вкладом в механизм химической связи. Результаты расчетов указывают, что оксиды примесей состава Me2O5 и MeO3 существенно влияют на адгезию, причем разрушение будет иметь место в оксиде примеси. Напротив, адгезия на интерфейсе TiN/Al2O3 достигает высоких значений, однако на TiAl/TiN интерфейсе понижается до 5.65 Дж/м2. 
653 |a граница раздела 
653 |a адгезия 
653 |a электронная структура 
653 |a теория функционала электронной плотности 
653 |a экспериментальные исследования 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Каспарян, Сергей Олегович 
700 1 |a Кулькова, Светлана Евгеньевна 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 9. С. 37-46  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009283 
908 |a статья 
999 |c 1009283  |d 1009283