Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe

Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставл...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 9. С. 5-16
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009497
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведено сопоставление проведенных ранее измерений вольт-амперных характеристик с результатами моделирования, которое демонстрирует, что предложенная модель адекватно описывает характеристики реальных экспериментальных образцов, выращенных методом МЛЭ.
Bibliography:Библиогр.: 23 назв.
ISSN:0021-3411
Access:Ограниченный доступ