Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне

Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для о...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 10. С. 44-53
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	барьерная структура вольт-амперная характеристика теллурид кадмия-ртути молекулярно-лучевая эпитаксия фотоприемные устройства статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009556