Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне

Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для о...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 10. С. 44-53
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	барьерная структура вольт-амперная характеристика теллурид кадмия-ртути молекулярно-лучевая эпитаксия фотоприемные устройства статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009556