Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фара...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Физика и техника полупроводников Т. 56, № 9. С. 928-932
Other Authors:	Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Кушнарев, Богдан Олегович, Олейник, Владимир Леонидович, Петрова, Юлианна Сергеевна, Цымбалов, Александр Вячеславович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры вольт-фарадные характеристики вольт-сименсные характеристики фототоки плотность ловушек статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802