Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фа...
| Published in: | Физика и техника полупроводников Т. 56, № 9. С. 928-932 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03377nab a2200409 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001010802 | ||
| 005 | 20241023120551.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 231121|2022 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868 |2 doi | |
| 035 | |a koha001010802 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме |c В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.] |
| 246 | 1 | 1 | |a Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 15 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. | |
| 653 | |a МДП-структуры | ||
| 653 | |a вольт-фарадные характеристики | ||
| 653 | |a вольт-сименсные характеристики | ||
| 653 | |a фототоки | ||
| 653 | |a плотность ловушек | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 905505 | |
| 700 | 1 | |a Калыгина, Вера Михайловна |9 74707 | |
| 700 | 1 | |a Киселева, Ольга Сергеевна |9 458275 | |
| 700 | 1 | |a Кушнарев, Богдан Олегович |9 230421 | |
| 700 | 1 | |a Олейник, Владимир Леонидович |9 94578 | |
| 700 | 1 | |a Петрова, Юлианна Сергеевна |9 89199 | |
| 700 | 1 | |a Цымбалов, Александр Вячеславович |9 502214 | |
| 773 | 0 | |t Физика и техника полупроводников |d 2022 |g Т. 56, № 9. С. 928-932 |x 0015-3222 |w 0028-44860 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1010802 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1010802 |d 1010802 | ||
| 039 | |b 100 | ||