Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фара...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Физика и техника полупроводников Т. 56, № 9. С. 928-932
Other Authors: Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Кушнарев, Богдан Олегович, Олейник, Владимир Леонидович, Петрова, Юлианна Сергеевна, Цымбалов, Александр Вячеславович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802
LEADER 03149nab a2200385 c 4500
001 koha001010802
005 20241023120551.0
007 cr |
008 231121|2022 ru s c rus d
024 7 |a 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868  |2 doi 
035 |a koha001010802 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме  |c В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.] 
246 1 1 |a Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
520 3 |a Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. 
653 |a МДП-структуры 
653 |a вольт-фарадные характеристики 
653 |a вольт-сименсные характеристики 
653 |a фототоки 
653 |a плотность ловушек 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Калыгина, Вера Михайловна 
700 1 |a Киселева, Ольга Сергеевна 
700 1 |a Кушнарев, Богдан Олегович 
700 1 |a Олейник, Владимир Леонидович 
700 1 |a Петрова, Юлианна Сергеевна 
700 1 |a Цымбалов, Александр Вячеславович 
773 0 |t Физика и техника полупроводников  |d 2022  |g Т. 56, № 9. С. 928-932  |x 0015-3222  |w 0028-44860 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802 
908 |a статья 
999 |c 1010802  |d 1010802