Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фара...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Физика и техника полупроводников Т. 56, № 9. С. 928-932
Другие авторы:	Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Кушнарев, Богдан Олегович, Олейник, Владимир Леонидович, Петрова, Юлианна Сергеевна, Цымбалов, Александр Вячеславович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры вольт-фарадные характеристики вольт-сименсные характеристики фототоки плотность ловушек статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802