Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку

Исследовано влияние H2, NH3, CO и O2 на электропроводящие свойства пленок In2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200-550oC пленки In2O3 демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемос...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Физика и техника полупроводников Т. 57, № 3. С. 145-152
Другие авторы: Алмаев, Дмитрий Александрович, Алмаев, Алексей Викторович, Николаев, Владимир Иванович, Бутенко, Павел Николаевич, Щеглов, Михаил Петрович, Чикиряка, Андрей Викторович, Печников, Алексей Игоревич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001017853
LEADER 03225nab a2200385 c 4500
001 koha001017853
005 20240216125226.0
007 cr |
008 240125|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.21883/FTP.2023.03.55626.4704  |2 doi 
035 |a koha001017853 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку  |c Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. И. Николаев [и др.] 
246 1 1 |a High sensitivity of halide vapor phase epitaxy grown indium oxide films to ammonia 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 46 назв. 
520 3 |a Исследовано влияние H2, NH3, CO и O2 на электропроводящие свойства пленок In2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200-550oC пленки In2O3 демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемость циклов. Наибольший отклик был получен при воздействии NH3, который при температуре 400oС и концентрации газа 1000 млн-1 превысил 33 отн.ед. Предложен качественный механизм газовой чувствительности пленок In2O3. Полученные газочувствительные характеристики сопоставлены с известными сенсорами NH3 на основе различных материалов. Показано, что метод хлоридной газофазной эпитаксии позволяет получать пленки оксида индия с высокой газовой чувствительностью. 
653 |a пленки оксида индия 
653 |a хлоридная газофазная эпитаксия 
653 |a газочувствительные свойства 
653 |a сигналы-отклики 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Алмаев, Дмитрий Александрович 
700 1 |a Алмаев, Алексей Викторович 
700 1 |a Николаев, Владимир Иванович 
700 1 |a Бутенко, Павел Николаевич 
700 1 |a Щеглов, Михаил Петрович 
700 1 |a Чикиряка, Андрей Викторович 
700 1 |a Печников, Алексей Игоревич 
773 0 |t Физика и техника полупроводников  |d 2023  |g Т. 57, № 3. С. 145-152  |x 0015-3222  |w 0028-44860 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001017853 
908 |a статья 
999 |c 1017853  |d 1017853