Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3
Ga2O3 - широкозонный материал с рядом уникальных характеристик, которые делают его перспективным материалом фотоники: он оптически прозрачен для оптического и ближнего ультрафиолетового излучения, обладает высокими значениями пробивных напряжений и высокой радиационной стойкостью. Одним из недо...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники Т. 26, № 2. С. 137-147 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130071 Перейти в каталог НБ ТГУ |
