Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AlAs(001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами
В рамках упрощенных моделей резкой и «плавной» гетерограниц рассмотрены связанные с Г- и Xz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AlAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано,...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 1. С. 45-54 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130247 |
| Итог: | В рамках упрощенных моделей резкой и «плавной» гетерограниц рассмотрены связанные с Г- и Xz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AlAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели «плавной» границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 19 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |