APA Цитирование

Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Варавин, В. С., Дворецкий, С. А., Михайлов, Н. Н. ф., . . . Якушев, М. В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2010), .

Chicago-стиль цитирования

Войцеховский, Александр Васильевич, Сергей Николаевич Несмелов, Станислав Михайлович Дзядух, Василий Семенович Варавин, Сергей Алексеевич Дворецкий, Николай Николаевич физик Михайлов, Юрий Георгиевич Сидоров, Владимир Васильевич физик Васильев, and Максим Витальевич Якушев. "Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in Situ CdTe в качестве диэлектрика." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2010 ().

MLA-цитирование

Войцеховский, Александр Васильевич, et al. "Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in Situ CdTe в качестве диэлектрика." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2010, .