Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного заря...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 2. С. 40-45
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Юрий Георгиевич, Васильев, Владимир Васильевич физик, Якушев, Максим Витальевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
теллурид кадмия ртути
диэлектрики
полупроводники
варизонные слои
вольт-фарадные характеристики
МДП-структуры
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130411

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130411

Similar Items