Кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Hg1–xMnxS
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 4. С. 93-95 |
|---|---|
| Главный автор: | Марьянчук, Павел Дмитриевич |
| Другие авторы: | Андрущак, Галина Олеговна |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001130829 |
Похожие документы
-
Магнитные и зонные параметры кристаллов (3HgS)1–x(Al2S3)x (x = 0,5), легированных марганцем
по: Марьянчук, Павел Дмитриевич - Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)<Mn>
-
Разделение вкладов ионного остова и свободных носителей заряда в магнитную восприимчивость анизотропного полупроводникового кристалла Bi2Te3–Sb2Te3
по: Степанов, Николай Петрович -
Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
по: Маделунг, Отфрид
Публикация: (1967) -
Изучение некоторых электронных свойств неметаллических кристаллов с различной структурой и типом химической связи Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Катаев, Сергей Григорьевич
Публикация: (1993)
