Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge

Приводятся результаты расчетов спектров оптического поглощения кремния с нанокластерами германия сферической формы и различных размеров. Анализируются оптические переходы с уровней германиевого кластера в объемные энергетические зонные состояния кремния....

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 7. С. 43-45
Главный автор:	Брудный, Валентин Натанович
Другие авторы:	Гриняев, Сергей Николаевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	квантовые точки кремний германий спектры поглощения статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001131043

Похожие документы

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
по: Торопов, Никита Александрович

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
по: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Исследование свойств гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Турапин, Алексей Михайлович

Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
по: Lozovoy, Kirill A.

Электронная структура и оптические свойства кремния с квантовыми точками Ge
по: Гриняев, Сергей Николаевич

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
по: Lozovoy, Kirill A.

Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович