Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Похожие документы

• Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)
• Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si
• Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
  по: Остертак, Д. И.
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов