Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Реконструкция поверхности Ge 2...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне

Bibliographic Details
Published in:Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 284-285
Main Author: Кукенов, Олжас Игоревич
Other Authors: Соколов, Арсений Сергеевич, Коханенко, Андрей Павлович
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
молекулярно-лучевая эпитаксия
полупроводниковые наноструктуры
германий
кремний
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132538
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132538

Similar Items

  • Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
    by: Гнеушев, Анатолий Владимирович
  • Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
    by: Духан, Рахаф М. Х.
  • Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
  • Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
    by: Кукенов, Олжас Игоревич
  • The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...