Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне

Похожие документы

• Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
  по: Гнеушев, Анатолий Владимирович
• Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
  по: Духан, Рахаф М. Х.
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
• Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy