Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Электрофизические свойства MI...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Bibliographic Details
Published in:Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 270-271
Other Authors: Дзядух, Станислав Михайлович, Войцеховский, Александр Васильевич, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
теллурид кадмия-ртути
экспериментальные исследования
МДП-структуры
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132546
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132546

Similar Items

  • Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
  • Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe
  • Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
  • Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур
  • Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
    by: Несмелов, Сергей Николаевич
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...