Электрофизические свойства MI - nB(SL)n - структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n - структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Bibliographic Details
Published in:	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 270-272
Other Authors:	Дзядух, Станислав Михайлович, Войцеховский, Александр Васильевич, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Георгий Юрьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	теллурид кадмия-ртути экспериментальные исследования МДП-структуры статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132546 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe

Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-0,23 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23)

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Background donor concentration in HgCdTe

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22-0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Background donor concentration in HgCdTe

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe