Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Зависимости коэффициента умнож...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения

Bibliographic Details
Published in:Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 272-274
Main Author: Диб, Хазем
Other Authors: Хомякова, Кристина Игоревна, Коханенко, Андрей Павлович
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
фотодиоды лавинные
германий
кремний
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132664
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132664

Similar Items

  • Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
    by: Диб, Хазем
  • Ge/Si avalanche photodiodes dark current
  • Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
    by: Диб, Хазем
    Published: (2024)
  • Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
    by: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
    Published: (2011)
  • Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...