Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения

Похожие документы

• Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
  по: Диб, Хазем
• Ge/Si avalanche photodiodes dark current
• Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
  по: Диб, Хазем
  Публикация: (2024)
• Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды: учебное пособие для вузов/
  по: Филачёв, А. М. Анатолий Михайлович, et al.
  Публикация: (2011)
• Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers