Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 222
Другие авторы:	Кальсин, Андрей Юрьевич, Юдин, Николай Николаевич, Зиновьев, Михаил Михайлович, Подзывалов, Сергей Николаевич, Слюнько, Елена Сергеевна, Худолейн, Андрей Леонидович, Городкин, Геннадий Рафаилович, Кумейша, Павел Николаевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	магнитореологическая обработка дифосфид цинка-германия оптические пробои экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132739 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

The influence of angstrom-scale roughness on the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2

Влияние лазерной закалки поверхности монокристаллов ZnGeP2 на порог оптического пробоя
по: Кальсин, Андрей Юрьевич

Диффузионное легирование, как способ повышения порога оптического пробоя монокристалла дифосфида цинка-германия

Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
по: Воеводин, Владимир Иванович

Оптическое "просветление" нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2
по: Воеводин, Владимир Иванович

Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см-1

Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2

Quality control of ZnGeP2 single crystals using optical methods
по: Dyomin, Victor V.

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
по: Бобылева, О. Д.

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2

High-strength optical coatings for single-crystal ZnGeP2 by the IBS method using selenide and oxide materials

Laser-induced damage threshold of ZnGeP2 crystal for (sub)picosecond 1-μm laser pulse

Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера

Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
по: Воеводин, Владимир Иванович

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света
по: Титов, Константин Сергеевич

Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана

Visualization and characterization of pre-breakdown processes in the volume of a ZnGeP2 single crystal during parametric generation of radiation in the wavelength range of 3.5-5 μm when pumped by Ho: YAG laser radiation

Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа
по: Юдин, Николай Николаевич

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
по: Лебедев, И. Н.

Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии

Методы цифровой голографии для исследования механизма оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Electrical relaxation and transport properties of ZnGeP2 and 4H-SiC crystals measured with terahertz spectroscopy

Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Выращивание монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te с помощью оригинальной технологии легирования

Зависимость лучевой прочности дифосфида цинка-германия от постростовых обработок
по: Слюнько, Елена Сергеевна

Влияние легирования халькогенами Se, Te на оптические свойства дифосфида цинка-герамания
по: Лысенко, Алексей Борисович

Фоновый спектр тетрагонального ZnP2 в модели Китинга
по: Копытов, Анатолий Владимирович

Исследование оптических свойств монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te

Узкополосные фильтры ближнего ИК-диапазона для систем дистанционного газоанализа

Контроль качества монокристаллов ZnGeP2 оптическими методами
по: Демин, Виктор Валентинович

Влияние низкотемпературного отжига на дислокационную структуру монокристаллов дифосфида цинка - германия
по: Кириллов, С. М.

Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии

Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич