Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Влияние типа подложки на фотоэ...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 187-188
Другие авторы: Цымбалов, Александр Вячеславович, Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Алмаев, Алексей Викторович, Копьев, Виктор Васильевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
тонкие пленки оксида галлия
фотоэлектрические характеристики
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132837
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132837

Похожие документы

  • Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures
  • Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах
  • Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
    по: Будницкий, Давыд Львович
  • Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
    по: Таллер, Елена Викторовна
  • Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
    по: Егорова, Ирина Максимовна
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...