Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 173-174
Другие авторы:	Шаймерденова, Лейла Калитаевна, Новиков, Владимир Александрович, Тяжев, Антон Владимирович, Толбанов, Олег Петрович, Шемерянкина, Анастасия Владимировна
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	крупномасштабные неоднородности арсенид галлия сенсоры ионизирующего излучения экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132952 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур
по: Павлов, Илья Григорьевич

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
по: Щербаков, И. Д. специалист в области электроники инженер Томского политехнического университета 1995-
Публикация: (2023)

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023)

Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip

Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
по: Верхолетов, Максим Георгиевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers

Газовые сенсоры на основе структуры Pd-GaAs
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Фотовольтаический эффект в контакте металл - высокоомный GaAs:Cr

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers

Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией

Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом
по: Пономарев, Иван Викторович

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Щербаков, Иван Дмитриевич
Публикация: (2023)

X-ray microbeam characterisation of crystalline defects in small pixel GaAs:Cr detectors

Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии

Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures

Технология крупномасштабных аэротопографических съемок
по: Соколова, Надежда Александровна
Публикация: (1973)

Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr
по: Мокеев, Дмитрий Юрьевич

Enginering As nano-clusters in GaAs
по: Chaldyshev, Vladimir V.

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Influence of temperature on the energy resolution of sensors based on HR GaAs:Cr

Измерение и моделирование вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых сенсоров высокоэнергетических электронов
по: Маковский, Артем Александрович

Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

GaAs маска для нанолитографии
по: Принц, Виктор Яковлевич

Основные антиструктурные дефекты в GaAs
по: Кухто, О. Л

Вывод на рынок детекторов на основе матричных арсенид галлиевых сенсоров для обработки сигналов и изображений медицинских и промышленных диагностических комплексов

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы

Электрические свойства GaAs, легированного железом

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна