Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира

Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 175-176
Другие авторы:	Жидиков, Алексей Витальевич, Зарубин, Андрей Николаевич, Толбанов, Олег Петрович, Шемерянкина, Анастасия Владимировна, Щербаков, Иван Дмитриевич, Винник, Александр Евгеньевич, Шаймерденова, Лейла Калитаевна, Скакунов, Максим Сергеевич, Тяжев, Антон Владимирович, Чаштанов, Кирилл Александрович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	экспериментальные исследования фоточувствительность сенсоров карбид кремния монокристаллический сапфир рентгеновское излучение статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132954

Похожие документы

Моделирование эффективности сбора заряда и фоточувствительности карбид кремниевых и сапфировых сенсоров рентгеновского излучения

Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана
по: Петраков, Владислав Александрович

Влияние содержания карбида кремния на уплотнение композитов TiB2 – SiC
по: Ян, Сяо

Зависимость модуля упругости и твердости от содержания карбида кремния в керамиках TiB2-SiC
по: Ян, Сяо

Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния

Получение композитов на основе карбида кремния из прекерамических бумаг методом искрового плазменного спекания

Теоретическое исследование зародышеобразования карбида кремния на поверхности металла
по: Мазов, Илья Николаевич

Исследование образования отрицательно-ионных и нейтральных кластеров при распылении карбида кремния и ЩГК ионами цезия Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.04
по: Абдуллаев, Аскар Хусинович
Публикация: (1995)

Твердотельные фрактальные структуры карбида бора и карбида кремния, их получение в плазме электрического дугового разряда и некоторые физические свойства
по: Посметьев, В. В.

Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров

Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста

Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами монография
по: Окунев, Алексей Олегович
Публикация: (2006)

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия

Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation
по: Brudnyi, Valentin N.

Silicon carbide micro electromechanical system for harsh environments
Публикация: (2006)

Комплексированный ИК+УФ интегральный матричный фотоприемник на основе микроболометров и SiC

Эволюция ударных волн в керамике SiC

Optical properties of vanadium and nitrogen doped 4H and 6H-SiC

Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения
по: Брудный, Валентин Натанович

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев

Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов
по: Кабышев, Александр Васильевич

О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению

Влияние термической обработки на структуру и свойства покрытий на основе карбида хрома и карбида титана
по: Крылова, Татьяна Александровна

Study of helium swelling and embrittlement mechanisms in SiC ceramics

Структура и свойства стеклопластика конструкционного назначения на основе эпоксиангидридного связующего с наполнителями карбида кремния и углеродными нанотрубками диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук : 2.6.17
по: Кычкин, Айсен Анатольевич
Публикация: (2024)

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Рудов, Федор Валентинович
Публикация: (2012)

Влияние деформации и лазерного воздействия на структуру кремния
по: Стрекалова, М.

Физико-химические основы технологии получения карбидов кремния и вольфрама из отходов воздействием атмосферной электродуговой плазмы автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.4.4
по: Болатова, Ж. С. специалист в области материаловедения инженер, младший научный сотрудник Томского политехнического университета 1996-
Публикация: (2024)

Физико-химические основы технологии получения карбидов кремния и вольфрама из отходов воздействием атмосферной электродуговой плазмы диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.4.4
по: Болатова, Ж. С. специалист в области материаловедения инженер, младший научный сотрудник Томского политехнического университета 1996-
Публикация: (2024)

Физико-химические основы технологии получения карбидов кремния и вольфрама из отходов воздействием атмосферной электродуговой плазмы автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.4.4
по: Болатова, Ж. С. специалист в области материаловедения инженер, младший научный сотрудник Томского политехнического университета 1996-
Публикация: (2024)

Применение импульсного режима для повышения селективности сенсоров аммиака на основе тонких пленок диоксида олова
по: Андрюков, Станислав Александрович

Hydrogen in single-crystalline anatase TiO2

High-sensitive two-layer photoresistors based on р-CdxHg1-HGxTe with a converted near-surface layer
по: Ismailov, N. D.

Biomedical applications of sapphire shaped crystals

Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем
по: Исмайлов, Намик Джамиль оглы

Publisher’s note: "Hydrogen in single-crystalline anatase TiO2" [J. Appl. Phys. 131, 030902 (2022)]