Коллапс резонансов в сверхрешетках
Исследовано явление отражения электронной волны при резонансном прохождении через периодические структуры конечной длины с двумя барьерами в ячейке периодичности в зависимости от параметров потенциальных барьеров. Показано, что для зеркально-симметричной периодической структуры возникновение такого...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 8. С. 17-23 |
|---|---|
| Главный автор: | Штыгашев, Александр Анатольевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132994 |
Похожие документы
-
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AIAs)n диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Никитина, Лариса Николаевна
Публикация: (2011) -
Разделение изотопов водорода с помощью двухслойных мембран
по: Потеряева, Валентина Александровна -
Преобразовательная техника: Конспект лекций к разделу "Преобразователи постоян. напряж. " для студентов специальности "Пром. электроника"/
Публикация: (1996) -
Основы кинематики резонансов
по: Копылов, Герцен Исаевич
Публикация: (1970) -
Распространение и самовоздействие оптического излучения в оптически-индуцированных фотонных сверхрешетках
по: Тренихин, Павел Александрович
