Система контроля дефектности полупроводниковых пластин и структур

Система контроля дефектности полупроводниковых пластин и структур

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 310
Другие авторы:	Винник, Александр Евгеньевич, Тяжев, Антон Владимирович, Толбанов, Олег Петрович, Шаймерденова, Лейла Калитаевна, Скакунов, Максим Сергеевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	системы контроля дефектность полупроводниковые пластины полупроводниковые структуры экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133013

Похожие документы

Исследование дефектности сложных поликристаллических слоев арсенида галлия для фотопреобразователей
по: Юрченко, Алексей Васильевич

Мультисенсорная аппаратура контроля дефектности и напряженно-деформированного состояния гетерогенных диэлектрических структур монография
Публикация: (2014)

Облучатель на основе эксиламп для обработки полупроводниковых пластин

Мультисенсорная аппаратура контроля дефектности и напряженно-деформированного состояния гетерогенных диэлектрических структур монография
Публикация: (2014)

Термодинамический аспект разрушения пластин арсенида галлия при импульсном отжиге
по: Смирнов, Серафим Всеволодович

Разработка мультисенсорной системы контроля дефектности гетерогенных структур на основе явления механоэлектрических преобразований диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.13
по: Хорсов, П. Н. специалист в области неразрушающего контроля старший научный сотрудник Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2014)

Разработка мультисенсорной системы контроля дефектности гетерогенных структур на основе явления механоэлектрических преобразований автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.13
по: Хорсов, П. Н. специалист в области неразрушающего контроля старший научный сотрудник Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2014)

Разработка мультисенсорной системы контроля дефектности гетерогенных структур на основе явления механоэлектрических преобразований автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.13
по: Хорсов, П. Н. специалист в области неразрушающего контроля аспирант Томского политехнического университета 1986-
Публикация: (2014)

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Исследование влияния температуры отжига GaAs:Cr на величину удельного сопротивления и характер его распределения по площади пластин
по: Уколов, Максим Дмитриевич

Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ
по: Нестерович, Н. В

Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

Электронные свойства полупроводниковых соединений III-V группы
по: Ханин, Даниил Владимирович

О начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V
по: Эрвье, Юрий Юрьевич

Производство в России полупроводниковых соединений типа AIIIN и приборов на их основе
по: Арендаренко, А. А.

Влияние дисперсионных сил на поверхностную энергию полупроводниковых кристаллов
по: Пидченко, Михаил Борисович

Исследования по теории пластин и оболочек [сборник статей
Публикация: (1990)

Модуляционная фотоотражательная спектроскопия многослоевых структур на основе GaAs
по: Кузьменко, Роман Валентинович

Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics

Структурные, электрические и оптические свойства металлоксидных полупроводниковых материалов
по: Егоров, Юрий Петрович канд. физ.-мат. наук

Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур
по: Батавин, Виталий Васильевич
Публикация: (1985)

Особенности поведения электрических характеристик полупроводниковых структур при использовании их в качестве датчика температуры
по: Тартынов, Н. В.

Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения

Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ)
по: Брудный, Валентин Натанович

Исследования по теории пластин и оболочек [сборник статей
Публикация: (1965)

Интенсивная критическая эмиссия 2D-электронов из диэлектрика в вакуум, индуцированная инжекцией наносекундного пучка в образец
по: Вайсбурд, Давид Израйлевич 1937-2009

New approaches towards the creating of strong fields by means of permanent magnets and towards the development of sensor devices for their mapping
по: Kumada, M

Multichannel magnetometer on the base of III-V semiconductor sensors

Разработка автоматизированных методик контроля и оптимизации технологии МОП-БИС Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.27.01
по: Головин, Сергей Викторович
Публикация: (1995)

Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs

Физика сложных полупроводников и полупроводниковых структур

Физика полупроводниковых приборов в 2 кн.
по: Зи, С. М.
Публикация: (1984)

Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия

Тонкие пленки Ta2O5 для конденсаторов в интегральных схемах на арсениде галлия

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями
по: Карагеоргий-Алкалаев, Павел Михайлович
Публикация: (1981)

Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии
по: Гущин, Сергей Михайлович