Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фо...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 3-9
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Юрий Георгиевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути варизонные слои барьерные области статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474