Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу
Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1-xCdxTe с x = 0,29-0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 3-9 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1-xCdxTe с x = 0,29-0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 14 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |