Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу
Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1-xCdxTe с x = 0,29-0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 3-9 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03706nab a2200385 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001133474 | ||
| 005 | 20241016174113.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240416|2011 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001133474 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу |c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 14 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1-xCdxTe с x = 0,29-0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава. | |
| 653 | |a МДП-структуры | ||
| 653 | |a теллурид кадмия-ртути | ||
| 653 | |a варизонные слои | ||
| 653 | |a барьерные области | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 957939 | |
| 700 | 1 | |a Войцеховский, Александр Васильевич |9 64789 | |
| 700 | 1 | |a Несмелов, Сергей Николаевич |9 65140 | |
| 700 | 1 | |a Дзядух, Станислав Михайлович |9 80402 | |
| 700 | 1 | |a Варавин, Василий Семенович |9 90984 | |
| 700 | 1 | |a Дворецкий, Сергей Алексеевич |9 90983 | |
| 700 | 1 | |a Михайлов, Николай Николаевич |c физик |9 90964 | |
| 700 | 1 | |a Сидоров, Юрий Георгиевич |9 149876 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2011 |g Т. 54, № 3. С. 3-9 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1133474 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |b 100 | ||
| 999 | |c 1133474 |d 1133474 | ||