Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,31) с резкими неоднородностями по составу

Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1-xCdxTe с x = 0,29-0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 3-9
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Юрий Георгиевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути варизонные слои барьерные области статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дзядух, Станислав Михайлович

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-0,23 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22-0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23)

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1-хCdхTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
by: Каширский, Данила Евгеньевич

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions
by: Talipov, Niyaz Kh

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe после ионной имплантации бора

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As
by: Хлудкова, Людмила Станиславовна

Фоторезисторный приемник на основе Hq1-xCdxTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe