Самосогласованный расчет глубоких уровней Sn- и Se-вакансий в SnSe методом функции Грина
На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей самосогласованным образом рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в SnSe. Обсуждены происхождение, орбитальный состав электронных состояний в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в валентной зоне, а также в...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 15-19 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133476 |