Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике
В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведен...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 59-64 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133640 Перейти в каталог НБ ТГУ |