Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 59-64
Other Authors:	Пчеляков, Олег Петрович, Двуреченский, Анатолий Васильевич, Никифоров, Александр Иванович, Войцеховский, Александр Васильевич, Григорьев, Денис Валерьевич, Коханенко, Андрей Павлович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	наногетероструктуры квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия оптоэлектронные устройства статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133640

Similar Items

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Пищагин, Антон Александрович

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников