Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
Предложена простая формула для оценки эффективной латеральной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда из линейного пятна засветки в слое абсорбера диодных фотоприемных матриц на основе материала кадмий – ртуть – теллур в условиях максимального отбора фототока из абсорбера....
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 12. С. 117-125 |
---|---|
Main Author: | Вишняков, Алексей Витальевич |
Other Authors: | Стучинский, Виктор Андреевич, Васильев, Владимир Васильевич физик |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133774 |
Similar Items
- Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности
- Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
- Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
- Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ