Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
Предложена простая формула для оценки эффективной латеральной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда из линейного пятна засветки в слое абсорбера диодных фотоприемных матриц на основе материала кадмий - ртуть - теллур в условиях максимального отбора фототока из абсорбера....
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 12. С. 117-125 |
|---|---|
| Main Author: | Вишняков, Алексей Витальевич |
| Other Authors: | Стучинский, Виктор Андреевич, Васильев, Владимир Васильевич физик |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133774 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Действие низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур кадмий - ртуть - теллур p-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности
- Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
- Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
- Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
