Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si<B> методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость уд...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 5. С. 75-78 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133871 Перейти в каталог НБ ТГУ |